蚀刻机与光刻机之间有什么不同之处？

蚀刻机与光刻机的区别在于：光刻（kè）机会将图案（àn）印制到材料上，然后蚀刻机根据这个图案去除相应区域（无论是有图案的还是（shì）没有图案的部分），保留其它部分。与光刻相比，蚀刻操作相对简单。可以把（bǎ）在硅晶体上进行加工比作木匠的工作：光刻机相当于木匠在木材上用墨斗划线，而蚀刻（kè）机则像木匠使用锯子、凿（záo）子、斧头和刨子（zǐ）等工具来进行加工。虽然蚀刻机和光刻机在性质上是类似的，但（dàn）对精度的要求却差异很（hěn）大。木匠（jiàng）的精（jīng）细工作通常只需达到（dào）毫米级别（bié），而用（yòng）于芯片制（zhì）造的蚀（shí）刻机和光刻机（jī）则必须达到纳米级别。比如，现在的手机芯片（piàn）采（cǎi）用的是台积电的10纳米技术。10纳米有多小呢？假设将（jiāng）一根直径为0.05毫米的头发丝平均分（fèn）成5000段，那么每一段的厚度大致就是10纳米。
光刻机，也称为掩模对准曝光机、曝光系统或光刻（kè）系统，是一种重要的设备（bèi）。一般的光刻工艺包括以下步骤：清洗和烘干硅片表面、涂覆底层、旋涂光刻胶、进行软烘、对准曝光、后烘、显影（yǐng）、硬烘以及刻蚀等过程。
光刻是指利用光线制作图形（xíng）的工艺。首先在硅片表面均匀涂布光刻胶，然后将掩模上的（de）图形通过光线转印到光刻胶上，这一过程相当于将器件或电路结构（gòu）暂时（shí）“复制”到硅片上。