等离子蚀刻机（jī）工（gōng）艺说明

等离子（zǐ）蚀刻机蚀（shí）刻加工可分为两个全过程（chéng）：，等离子（zǐ）里的有（yǒu）机化学活性组分，这种活性组（zǔ）分与液体原材料化学物质（zhì）发生反（fǎn）应，形成挥（huī）发物化学物质，同时向表面扩散、排出来。以CF4为例子，其（qí）电离度（dù）物F与S反应生成SiF4汽体，在含Si原材料（liào）的表面形成微切削构造。等离子蚀刻加工就是指正（zhèng）离（lí）子蚀刻加工、磁控溅射蚀刻加工和等离子灰化等过（guò）程。
等离子（zǐ）蚀刻机改性材料深度在于底材环（huán）境温度（dù）、等待时（shí）间各种材料蔓延特点，而改性材料的种（zhǒng）类在于底材和工艺指标（biāo）。等离子只有在表面上蚀刻加工好多个μm深，其表面特性出现了改变，但大部分原材料（liào）表面特性仍然能够维持。该方法（fǎ）还可用（yòng）于表层清理、干固、钝化处理（lǐ）、更改吸水性和黏附性（xìng）等，一样可用于半导体集成电路的制造（zào）过程中，还可以在光学显微镜下（xià）注意（yì）到试品变（biàn）软。化学变化能通过有机化学磁控溅射造成挥发物物质。常见气体包含Ar、He、O2、H2、H2O、CO2、Cl2、F2和有机化学蒸汽等。可（kě）塑性无机化合物磁控溅射比具备化（huà）学变化的等离子磁控溅射更贴近物理现象。
在蚀刻中，密度高的等离子源具（jù）备很多特点，能够更（gèng）准确地操纵产品工件规格，蚀刻加工率更高，原材料可选择性更（gèng）强。多（duō）层的等离子源能在低压下（xià）运行（háng），因此能变（biàn）弱鞘层震（zhèn）荡。在芯片的（de）蚀刻加（jiā）工环节中，选用高密度的（de）等离子源蚀刻技术，必须运用单独的微波射频源对圆晶开展阈值电压，使（shǐ）能量（liàng）和正离子互不相关。因为离子的动能一般（bān）在（zài）几个电子伏数量级，因此当正（zhèng）离子进到负鞘层后，根据动能加快会达到几百（bǎi）电（diàn）子伏，而且具有（yǒu）较高的导向性，从而（ér）使得正离（lí）子蚀刻加工具备各种各样。